Ostia silizio hutsez (Si) eginda dago.Orokorrean 6 hazbeteko, 8 hazbeteko eta 12 hazbeteko zehaztapenetan banatuta, ostia honetan oinarrituta ekoizten da.Garbitasun handiko erdieroaleetatik prestatutako siliziozko oblei kristalak ateratzea eta xerra egitea bezalako prozesuen bidez obleak deitzen dira.erabili forma biribila dute.Zirkuitu-elementu-egitura desberdinak prozesatu daitezke siliziozko obleetan, propietate elektriko zehatzak dituzten produktuak bihurtzeko.zirkuitu integratuko produktu funtzionalak.Obleek erdieroaleen fabrikazio-prozesu batzuetatik igarotzen dira zirkuitu-egitura oso txikiak sortzeko, eta gero moztu, ontziratu eta probatu egiten dira hainbat gailu elektronikotan asko erabiltzen diren txipetan.Wafer materialek 60 urte baino gehiagoko bilakaera teknologikoa eta garapen industriala bizi izan dute, silizioa nagusi den eta material erdieroale berriekin osaturiko egoera industriala osatuz.
Munduko sakelako telefono eta ordenagailuen %80 Txinan ekoizten dira.Txina errendimendu handiko txip-en %95eko inportazioetan oinarritzen da, beraz, Txinak 220.000 milioi dolar gastatzen ditu urtero txipak inportatzeko, hau da, Txinak urteko petrolio-inportazioen bikoitza.Fotolitografia-makinekin eta txirbil-ekoizpenarekin lotutako ekipamendu eta material guztiak ere blokeatuta daude, hala nola obleak, purutasun handiko metalak, grabatzeko makinak, etab.
Gaur laburki hitz egingo dugu obleen makinen UV argiaren ezabaketaren printzipioari buruz.Datuak idazterakoan, ate flotagarrian karga injektatzea beharrezkoa da ateari tentsio handiko VPP bat aplikatuz, beheko irudian ikusten den moduan.Injektatutako kargak silizio oxidoaren filmaren energia horman barneratzeko energiarik ez duenez, egoerari eutsi diezaioke soilik, beraz, kargari energia kopuru jakin bat eman behar diogu!Hau da argi ultramorea behar da.
Ate mugikorrak irradiazio ultramorea jasotzen duenean, ate flotagarriko elektroiek argi ultramoreen kuantaren energia jasotzen dute, eta elektroiak elektroi bero bihurtzen dira silizio oxidoaren filmaren energia horman barneratzeko energiarekin.Irudian ikusten den bezala, elektroi beroak silizio oxidoaren pelikulan sartzen dira, substratura eta aterantz isurtzen dira eta ezabatutako egoerara itzultzen dira.Ezabatze-eragiketa irradiazio ultramorea jasoz bakarrik egin daiteke, eta ezin da elektronikoki ezabatu.Beste era batera esanda, bit kopurua "1"tik "0ra" bakarrik alda daiteke, eta kontrako noranzkoan.Ez dago txiparen eduki osoa ezabatzea beste biderik.
Badakigu argiaren energia argiaren uhin-luzerarekin alderantziz proportzionala dela.Elektroiak elektroi bero bihurtzeko eta horrela oxido-filmean sartzeko energia izateko, oso beharrezkoa da uhin-luzera laburragoko argiaren irradiazioa, hau da, izpi ultramoreak.Ezabaketa-denbora fotoi kopuruaren araberakoa denez, ezabatze-denbora ezin da laburtu uhin-luzera laburragoetan ere.Orokorrean, uhin-luzera 4000A (400nm) ingurukoa denean hasten da ezabatzea.Funtsean, 3000A inguruko saturaziora iristen da.3000A-tik behera, uhin-luzera laburragoa bada ere, ez du eraginik izango ezabatzeko denboran.
UV ezabatzeko estandarra, oro har, izpi ultramoreak onartzea da 253,7 nm-ko uhin-luzera zehatza eta ≥16000 μ W/cm²-ko intentsitatea.Ezabaketa eragiketa 30 minututik 3 ordura arteko esposizio-denborarekin osa daiteke.
Argitalpenaren ordua: 2023-12-22